ویفر سیلیکونی تک کریستالی با قوام بالا
ما طیف گسترده ای از ویفرهای سیلیکونی را در انبار داریم. همچنین، ما متعهد هستیم که نیازهای مشتری خود را با مشخصات خاص یا استاندارد برآورده کنیم.
شرح
شرح
ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی (مونو سی) نوعی ویفر سیلیکونی با خلوص بالا هستند که در ساخت سلول های خورشیدی و سایر وسایل الکترونیکی استفاده می شود. آنها از یک کریستال منفرد و پیوسته از سیلیکون ساخته شده اند که درجه خلوص و قوام بالایی به آنها می دهد.
برای تولید ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی، یک بلور سیلیکون از یک کریستال دانه با استفاده از فرآیندی به نام روش Czochralski رشد می‌کند. این فرآیند شامل ذوب سیلیکون با خلوص بالا در یک بوته، سپس بیرون کشیدن آهسته یک بلور از مذاب با استفاده از کریستال دانه است.
سپس شمش سیلیکونی تک کریستالی به دست آمده با استفاده از اره الماسی به ویفرهای نازک بریده می شود. سپس ویفرها تا سطحی صاف و آینه مانند صیقل داده می شوند و برای استفاده در سلول های خورشیدی و سایر دستگاه های الکترونیکی آماده می شوند.
ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی به دلیل کارایی بالا در تبدیل نور خورشید به الکتریسیته مورد توجه قرار می گیرند و آنها را به گزینه ای محبوب برای پنل های خورشیدی تبدیل می کند. آنها همچنین در ساخت مدارهای مجتمع، ریزپردازنده ها و سایر قطعات الکترونیکی استفاده می شوند، جایی که خلوص و قوام بالای آنها برای عملکرد بسیار مهم است.
مشخصات
| ساختار کریستالی | - | تک کریستالی |
| روش رشد | - | Cz |
| تراکم دررفتگی | در oms/cm*3 | قابل قبول یا هیچ |
| قطر | میلی متر | استاندارد مشتری |
| نوع هدایت | - | P/N |
| جهت گیری کریستالی | - | 111/100/110 |
| مقاومت | Ω.cm | 0.001-1000 |
| دوپانت | - | B/P/As/Sb |
| محدوده قطر کریستال | میلی متر | 100-360 |
| فلزات سطحی | در oms/cm*2 | <=5E10 |
| شکاف | - | SEMI استاندارد |
| عمق بریدگی | میلی متر | 1.0 به علاوه 0.25/-0.00 |
| زاویه بریدگی | - | 90 درجه به اضافه 5 درجه /{2}} درجه |
| جهت بریدگی | - | <100>به اضافه -1 درجه یا<110>به اضافه -1 درجه |
| طول | میلی متر | >=100 میلی متر |
| MOQ(>=200 کیلوگرم) | کیلوگرم | 380 کیلوگرم / کوره |
تگ های محبوب: ویفر سیلیکونی تک کریستالی با قوام بالا
ارسال درخواست
شما نیز ممکن است دوست داشته باشید