نسل بعدی کاربید سیلیکون الکترونیک

سیلیکون کاربید (SiC) در خط مقدم نسل بعدی الکترونیک است و کاربردهای مختلف الکترونیکی را متحول کرده است.

ارسال درخواست

شرح

دستگاه های الکترونیکی مبتنی بر SiC عملکرد برتر و قابلیت های منحصر به فردی را ارائه می دهند که بر محدودیت های الکترونیک مبتنی بر سیلیکون سنتی غلبه می کند.
نسل بعدی Electronics Silicon Carbide.SiC فاصله باند گسترده و قدرت میدان الکتریکی با شکست بالا، توسعه دستگاه های الکترونیکی پرقدرت و ولتاژ بالا را با راندمان افزایش می دهد. الکترونیک قدرت مبتنی بر SiC می تواند در دماهای بالاتر کار کند، ولتاژهای بالاتر را مدیریت کند و سرعت سوئیچینگ سریع تری نسبت به دستگاه های سیلیکونی نشان دهد.

مشخصات

ویژگی	ارزش
فرمول شیمیایی	Sic
ضریب انبساط حرارتی (CTE)	4.0-6.0 x 10⁻6/ درجه
حداکثر دمای عملیاتی	1,600-2,800 درجه (2,912-5,072 درجه فارنهایت)
مدول یانگ	٪7b٪7b0٪7d٪7d GPa
نسبت پواسون	0.16-0.22
ثابت دی الکتریک	9.7-10.7
انرژی باندگپ	2.٪7b٪ 7b1٪ 7d٪ 7d.3 eV

Next Generation Electronics Silicon Carbide

کاربید سیلیکون نسل بعدی Electronics. فاصله باند گسترده همچنین به دستگاه‌های مبتنی بر SiC اجازه می‌دهد در محیط‌های سخت کار کنند که در غیر این صورت برای دستگاه‌های سیلیکونی چالش‌برانگیز است. قطعات الکترونیکی SiC می توانند در برابر دماهای بالا، تشعشع و عملیات فرکانس بالا مقاومت کنند و آنها را برای کاربردهای هوافضا، دفاعی و با قابلیت اطمینان بالا مناسب می کند.

SiC راه را برای پیشرفت در وسایل نقلیه الکتریکی، سیستم‌های انرژی تجدیدپذیر و زیرساخت‌های شبکه هموار می‌کند. دستگاه‌های مبتنی بر SiC تبدیل انرژی کارآمدتر، کاهش تلفات توان و بهبود مدیریت انرژی را ممکن می‌سازند و به توسعه فناوری‌های پایدار و کارآمد انرژی کمک می‌کنند.

سوالات متداول

س: مزایای شما چیست؟
A: ما تولید کننده هستیم و تیم های تولید و پردازش و فروش حرفه ای داریم. کیفیت را می توان تضمین کرد. ما تجربه غنی در زمینه فروآلیاژ داریم.

س: ظرفیت تولید و تاریخ تحویل شما چیست؟
A: 3000MT / ماه و در 20 روز پس از پرداخت ارسال می شود.

س: آیا قیمت قابل مذاکره است؟
پاسخ: بله، لطفاً در صورت داشتن هر گونه سؤال، در هر زمان با ما تماس بگیرید. و برای مشتریانی که می خواهند بازار را بزرگ کنند، ما تمام تلاش خود را برای حمایت انجام خواهیم داد.